FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio IXYS, ROHM, Yangjie Electronic Technology, Panasonic, Niko-semi, e altri 66 produttori

IRF3710

Transistor a canale N IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 23m Ohms. Alloggiamento: TO...

1.66fr

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IRF3710PBF

Transistor a canale N IRF3710PBF, TO220, 100V, 100V. Alloggiamento: TO220. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assembl...

2.45fr

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IRF3710S

Transistor a canale N IRF3710S, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.025 ...

2.71fr

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IRF3710SPBF

Transistor a canale N IRF3710SPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resisto...

3.43fr

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IRF3710Z

Transistor a canale N IRF3710Z, TO220, TO220AB. Alloggiamento: TO220, TO220AB. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 82nC. Condizionamento: tubus. DRUCE CORRENTE: 59A. Polarità: unipolari. Potenza...

2.73fr

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IRF3711S

Transistor a canale N IRF3711S, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 4.7M O...

1.82fr

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IRF3711ZS

Transistor a canale N IRF3711ZS, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0048...

2.32fr

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IRF3808

Transistor a canale N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0059 Ohms. Alloggiame...

2.93fr

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IRF450

Transistor a canale N IRF450, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohm...

23.89fr

Prodotto obsoleto
Esaurito

IRF510

Transistor a canale N IRF510, TO-220, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54...

0.83fr

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IRF510PBF

Transistor a canale N IRF510PBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.54 Ohms, 100V. Alloggiamento: TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Custodia (standard ...

0.98fr

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IRF520

Transistor a canale N IRF520, TO-220, 6.5A, 9.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0....

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IRF520NPBF

Transistor a canale N IRF520NPBF, TO-220AB, 100V, 0.20 Ohms, 100V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 100V. Custodia (standard JEDEC): -. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. Ten...

1.96fr

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IRF520PBF-IR

Transistor a canale N IRF520PBF-IR, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Oh...

1.03fr

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IRF530

Transistor a canale N IRF530, TO-220, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.16...

0.76fr

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IRF530N

Transistor a canale N IRF530N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: ...

1.30fr

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IRF530NPBF-IR

Transistor a canale N IRF530NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [O...

3.30fr

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IRF530PBF

Transistor a canale N IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.16 Ohms. Alloggiam...

1.03fr

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IRF540

Transistor a canale N IRF540, 20A, 28A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.077 Ohms. Alloggiamento:...

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IRF540N

Transistor a canale N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0....

1.12fr

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IRF540NPBF

Transistor a canale N IRF540NPBF, 100V, 100V, 0.044 Ohms, TO220AB. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. Allogg...

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IRF540NPBF-IR

Transistor a canale N IRF540NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [O...

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IRF540NS

Transistor a canale N IRF540NS, 25A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 ...

1.14fr

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IRF540NSPBF

Transistor a canale N IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resisto...

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