FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio Nce, Fuji Electric, Nxp, Samsung, Vishay (temic), e altri 66 produttori

STW11NK100Z-ZENER

Transistor a canale N STW11NK100Z-ZENER, TO-247, 1 kV. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [O...

11.78fr

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STW11NK90Z

Transistor a canale N STW11NK90Z, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.82 Ohms. Alloggiament...

4.48fr

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STW12NK80Z

Transistor a canale N STW12NK80Z, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. Alloggiame...

3.99fr

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STW12NK90Z

Transistor a canale N STW12NK90Z, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-...

4.35fr

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STW13NK60Z

Transistor a canale N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V. Tensione drain-source (Vds): 600V. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A....

3.68fr

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STW14NK50Z

Transistor a canale N STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 7.6A....

2.43fr

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STW15NK90Z

Transistor a canale N STW15NK90Z, 900V, 0.55 Ohms, TO-247. Tensione drain-source (Vds): 900V. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Corrente di assorbimento massima: 15A. Pote...

8.29fr

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STW18NM80

Transistor a canale N STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 100nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiam...

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STW20NK50Z

Transistor a canale N STW20NK50Z, TO-247, 500V, 12.6A, 20A, 50uA, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 12.6...

3.39fr

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STW20NM50FD

Transistor a canale N STW20NM50FD, TO-247, 500V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ ...

7.36fr

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STW20NM60

Transistor a canale N STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamen...

4.94fr

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STW26NM60N

Transistor a canale N STW26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.135 Ohms. Alloggia...

4.33fr

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STW28N65M2

Transistor a canale N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento:...

4.52fr

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STW34NB20

Transistor a canale N STW34NB20, 21A, 34A, 10uA, 0.62 Ohms, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.62 Ohms. Alloggiamento: TO...

8.50fr

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STW43NM60N

Transistor a canale N STW43NM60N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 35A. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: T...

14.29fr

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STW43NM60ND

Transistor a canale N STW43NM60ND, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamen...

13.32fr

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STW45NM60

Transistor a canale N STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.09 Ohms. Alloggiamento: ...

15.68fr

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STW5NB90

Transistor a canale N STW5NB90, 3.3A, 5.6A, 50uA, 2.3 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: T...

3.68fr

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STW5NK100Z

Transistor a canale N STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.7 Ohms. Alloggiamento...

3.28fr

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STW7NK90Z

Transistor a canale N STW7NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.56 Ohms. Alloggiamen...

2.23fr

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STW9NK90Z

Transistor a canale N STW9NK90Z, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-247. ...

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SUD15N06-90L

Transistor a canale N SUD15N06-90L, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 15A. Rds sulla resistenza atti...

2.95fr

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SUP75N03-04

Transistor a canale N SUP75N03-04, TO-220AB, 30 v. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm...

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SUP85N03-3M6P

Transistor a canale N SUP85N03-3M6P, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.003 Ohms. Alloggi...

2.48fr

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