FET e MOSFET a canale N

1237 prodotti disponibili nella categoria FET e MOSFET a canale N, tutti di produttori originali, ad esempio IXYS, Infineon Technologies, Nec, Eupec/infineon, Diodes Incorporated, e altri 66 produttori

BSP100

Transistor a canale N BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 100nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Alloggi...

0.69fr

Quantità in magazzino: 167

Quantità per BSP100 Aggiungi al carrello

BSP125

Transistor a canale N BSP125, SOT-223, 600V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

0.97fr

Quantità in magazzino: 459

Quantità per BSP125 Aggiungi al carrello

BSP135

Transistor a canale N BSP135, SOT-223, 600V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

1.92fr

Quantità in magazzino: 234

Quantità per BSP135 Aggiungi al carrello

BSP295H6327

Transistor a canale N BSP295H6327, SOT-223, 60V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ ...

1.47fr

Quantità in magazzino: 1005

Quantità per BSP295H6327 Aggiungi al carrello

BSP297

Transistor a canale N BSP297, SOT-223, 200V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

0.73fr

Quantità in magazzino: 439

Quantità per BSP297 Aggiungi al carrello

BSP89H6327

Transistor a canale N BSP89H6327, SOT-223, 240V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 240V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @...

1.04fr

Quantità in magazzino: 2890

Quantità per BSP89H6327 Aggiungi al carrello

BSS123

Transistor a canale N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 100V. ID (T=25°C)...

0.0654fr

+85117 velocemente
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 2690

Min.: 10

Quantità per BSS123 Aggiungi al carrello

BSS123-E6327

Transistor a canale N BSS123-E6327, SOT-23, 100V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @...

0.17fr

Quantità in magazzino: 1536

Quantità per BSS123-E6327 Aggiungi al carrello

BSS123-FAI

Transistor a canale N BSS123-FAI, SOT-23, 100V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ I...

0.22fr

Quantità in magazzino: 12687

Quantità per BSS123-FAI Aggiungi al carrello

BSS123-ONS

Transistor a canale N BSS123-ONS, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. Rds sulla resistenza attiva: 6 Ohms. Alloggiame...

0.0758fr

Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 2944

Min.: 10

Quantità per BSS123-ONS Aggiungi al carrello

BSS123LT1G

Transistor a canale N BSS123LT1G, SOT-23, TO-236AB, 100V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD...

0.20fr

+8 velocemente
Quantità in magazzino: 2511

Quantità per BSS123LT1G Aggiungi al carrello

BSS126H6327

Transistor a canale N BSS126H6327, SOT-23, 600V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ ...

0.54fr

Quantità in magazzino: 2100

Quantità per BSS126H6327 Aggiungi al carrello

BSS131

Transistor a canale N BSS131, SOT-23, 240V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 240V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [...

0.20fr

Quantità in magazzino: 12786

Quantità per BSS131 Aggiungi al carrello

BSS138

Transistor a canale N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 0.22A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiv...

0.0733fr

+88191 velocemente
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 274

Min.: 10

Quantità per BSS138 Aggiungi al carrello

BSS138-7-F

Transistor a canale N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secon...

0.0483fr

Quantità in magazzino: 2392

Min.: 10

Quantità per BSS138-7-F Aggiungi al carrello

BSS138-SS

Transistor a canale N BSS138-SS, SOT-23, 50V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids ...

0.17fr

Quantità in magazzino: 23480

Quantità per BSS138-SS Aggiungi al carrello

BSS138LT1G-J1

Transistor a canale N BSS138LT1G-J1, SOT-23, TO-236AB, 50V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Assorbimento di corrente attraverso il resis...

0.24fr

Quantità in magazzino: 38571

Quantità per BSS138LT1G-J1 Aggiungi al carrello

BSS139H6327

Transistor a canale N BSS139H6327, SOT-23, TO-236AB, 250V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: 250V. Assorbimento di corrente attraverso il resis...

0.98fr

Quantità in magazzino: 6000

Quantità per BSS139H6327 Aggiungi al carrello

BSS670S2LH6327XTSA1

Transistor a canale N BSS670S2LH6327XTSA1, SOT-23, 55V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 55V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [O...

0.61fr

Quantità in magazzino: 16500

Quantità per BSS670S2LH6327XTSA1 Aggiungi al carrello

BST72A

Transistor a canale N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecn...

1.36fr

Quantità in magazzino: 14

Quantità per BST72A Aggiungi al carrello

BST82

Transistor a canale N BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 5 Ohms...

0.18fr

Quantità in magazzino: 86

Quantità per BST82 Aggiungi al carrello

BST82-215

Transistor a canale N BST82-215, SOT23. Alloggiamento: SOT23. Assemblaggio/installazione: SMD. DRUCE CORRENTE: 0.19A. Polarità: unipolari. Potenza: 0.83W. Resistenza allo stato: 10 Ohms. RoHS: sì. T...

0.71fr

Quantità in magazzino: 25

Quantità per BST82-215 Aggiungi al carrello

BTS117BKSA1

Transistor a canale N BTS117BKSA1, 60V, 0.10 Ohms, TO-220. Tensione drain-source (Vds): 60V. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Controllare: Livello logico. Corrente di ass...

3.09fr

Ultimi articoli disponibili
Quantità in magazzino: 3333

Quantità per BTS117BKSA1 Aggiungi al carrello

BTS132

Transistor a canale N BTS132, TO-220AB, 60V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids...

11.79fr

Quantità in magazzino: 89

Quantità per BTS132 Aggiungi al carrello