Infineon IRLB8721 MOSFET di Potenza HEXFET Canale N 30V 64A TO-220AB

Descrizione tecnica del prodotto (IRLB8721):

Tensione Vds(max): 30V. Idss (max): 150uA. Id (T=25°C): 64A. Id (T=100°C): 45A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.0065 Ohm. Contenitore (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Contenitore: TO-220. RoHS: Sì. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: Montaggio a foro passante per circuiti stampati. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Resistenza di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Protezione G-S: No. Td(off): 9 ns. Idss (min): 1uA. Td(on): 9.1 ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 250A. Vgs(th) min.: 1.35V. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Trr Diodo (Min.): 16 ns. Dissipazione di potenza massima: 65W. Protezione drain-source: Sì. Tensione gate/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V.