Infineon SPP11N60C3 MOSFET di Potenza CoolMOS Canale N, 650V, 11A, TO-220

Descrizione tecnica del prodotto (SPP11N60C3):

Tensione Drain-Source Vds(max): 650V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (max): 100uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 11A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 7A. Resistenza On-State Rds On: 0.34 Ohms. Contenitore (secondo datasheet): TO-220. Contenitore: TO-220. RoHS: sì. Temperatura operativa: -55...+150°C. Numero di connessioni: 3. Montaggio/Installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Valutazione dv/dt estrema, elevata capacità di corrente di picco. Tecnologia: Cool Mos POWER Transistor. Protezione Gate-Source: no. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 44 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (min): 0.1uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 10 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 33A. Marcatura sul contenitore: 11N60C3. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2.1V. Capacità di ingresso C (in): 1200pF. Capacità di uscita C (out): 390pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 400 ns. Dissipazione di potenza massima: 125W. Protezione Drain-Source: Diodo Zener. Tensione Gate-Source Vgs: 20V. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) max.: 3.9V