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Infineon Technologies
Infineon Technologies IR2109PBF Driver Gate MOSFET/IGBT Mezzo Ponte DIP8 600V
Riferimento prodotto : IR2109PBF
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Descrizione tecnica del prodotto (IR2109PBF):
Conforme RoHS: Sì. Numero di terminali: 8. Contenitore: DIP8. Configurazione: Montaggio a foro passante per circuito stampato. Temperatura massima: +125°C. Famiglia di componenti: Circuito driver MOSFET/IGBT. Tipo di circuiti: Circuito driver MOSFET/IGBT a mezzo ponte. Numero di circuiti: 1. Tensione: +20V/600V.