IXYS IXFH32N50 MOSFET di Potenza HiPerFET Canale N, 500V Drain-Source, 32A Corrente di Drain, Conten

Descrizione tecnica del prodotto (IXFH32N50):

Questo MOSFET di potenza HiPerFET a canale N IXYS IXFH32N50 presenta una tensione massima drain-source (Vds) di 500V e una corrente di drain continua (ID) di 32A a 25°C. La sua resistenza di conduzione (Rds On) è di 0,15 Ohm. Il componente è alloggiato in un contenitore TO-247AD, adatto per il montaggio a foro passante su PCB. Funziona in un intervallo di temperatura da -55°C a +150°C ed è conforme alla direttiva RoHS. Le specifiche chiave includono una dissipazione di potenza (Pd) di 360W, una tensione gate-source (Vgs) di 20V e un tempo di ritardo all\'accensione (Td(on)) di 35 ns. Offre protezione drain-source.