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IXYS
IXYS IXGR40N60B2D1 P-Channel MOSFET 600V 60A n/a
Riferimento prodotto : IXGR40N60B2D1
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| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1+Miglior prezzo | 14.99 fr | — |
Specifiche tecniche
5 parametri| Parametro | Valore |
| Tensione Vdss massima | 600V |
| Corrente Id massima | 60A |
| Resistenza Rds-on | n/a |
| Parametro (Package) | n/a |
Descrizione tecnica del prodotto (IXGR40N60B2D1):
Il IXGR40N60B2D1 è un MOSFET a canale P ad alte prestazioni di IXYS in un contenitore n/a. Le applicazioni tipiche includono la gestione dell'energia, la commutazione del carico, la protezione della batteria e i convertitori DC-DC. Manufacturer info: IXGR40N60B2D1 N-IGBT+D 600V 60A 167W Vce(sat)1.9V.