MBRS360T3G, DO-214, DO-214AB, 3A, 80A, 3A, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V

MBRS360T3G, DO-214, DO-214AB, 3A, 80A, 3A, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.48fr
5-49
0.40fr
50-99
0.35fr
100-199
0.32fr
200+
0.27fr
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Equivalenza disponibile
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MBRS360T3G, DO-214, DO-214AB, 3A, 80A, 3A, SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ), 60V. Alloggiamento: DO-214. Custodia (standard JEDEC): DO-214AB. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Corrente diretta [A]: 3A. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.03mA..3mA. Equivalenti: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Ifsm [A]: 60A. Marcatura sulla cassa: B36. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Temperatura massima: +175°C.. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 40V. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: -. [V]: 0.63V @ 3A. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 12:43

Documentazione tecnica (PDF)
MBRS360T3G
29 parametri
Alloggiamento
DO-214
Custodia (standard JEDEC)
DO-214AB
Corrente diretta (AV)
3A
IFSM
80A
Corrente diretta [A]
3A
Custodia (secondo scheda tecnica)
SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm )
VRRM
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Configurazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]
0.03mA..3mA
Equivalenti
Vishay VS-MBRS360-M3/9AT
Famiglia di componenti
Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD
Funzione
Diodo raddrizzatore Schottky
Ifsm [A]
60A
Marcatura sulla cassa
B36
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
2
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+125°C
Temperatura massima
+175°C.
Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]
40V
Tensione di soglia Vf (max)
0.74V
Tensione diretta Vf (min)
0.74V
[V]
0.63V @ 3A
Prodotto originale del produttore
ON Semiconductor

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