MOSFET Canale N Hitachi 2SK1170, 500V, 20A, 0.27 Ohm, Contenitore TO-3P

Descrizione tecnica del prodotto (2SK1170):

Tensione Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(max): 250uA. Corrente di Drain continua Id (T=25°C): 20A. Resistenza On-State Rds(On): 0.27 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-3P. Contenitore: TO-3P (TO-218 SOT-93). Temperatura operativa: -55...+150°C. Caratteristiche speciali: High speed switching, low drive current. Numero di pin: 3. Tipo di montaggio: Through-hole. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MOSFET Canale N. Tecnologia: V-MOS. Protezione Gate-Source: Sì. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 200 ns. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 32 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 80A. Capacità di ingresso C(in): 2800pF. Capacità di uscita C(out): 780pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 500 ns. Dissipazione di potenza massima: 120W. Protezione Drain-Source: Diodo. Tensione Gate-Source Vgs: 30V.