MOSFET Canale N Sanken 2SK3199, 500V, 5A, 1.2 Ohm, Contenitore TO220F-3L
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Descrizione tecnica del prodotto (2SK3199):
Tensione Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(max): 100uA. Corrente di Drain continua Id (T=25°C): 5A. Resistenza On-State Rds(On): 1.2 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO220F-3L. Contenitore: TO-220FP. Conforme RoHS: Sì. Tipo di montaggio: Through-hole. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: MOSFET Canale N. Tecnologia: V-MOS (F). Equivalenze: FS5KM-10-AW. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 60 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(min): 0.1uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 18 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 20A. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacità di ingresso C(in): 650pF. Capacità di uscita C(out): 250pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 2us. Dissipazione di potenza massima: 30W. Tensione Gate-Source Vgs: 30V. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) max.: 4V.