MOSFET Canale N Toshiba 2SK2662, 500V, 5A, 1.35 Ohm, Contenitore TO-220FP

Descrizione tecnica del prodotto (2SK2662):

Tensione Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss(max): 100uA. Corrente di Drain continua Id (T=25°C): 5A. Resistenza On-State Rds(On): 1.35 Ohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-220FP. Contenitore: TO-220FP. Conforme RoHS: Sì. Numero di pin: 3. Tipo di montaggio: Through-hole. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità, protetto da Zener. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo (TT-MOS V). Protezione Gate-Source: Sì. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 60 ns. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 25 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 20A. Marcatura sul contenitore: K2662. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacità di ingresso C(in): 780pF. Capacità di uscita C(out): 200pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 1400 ns. Dissipazione di potenza massima: 35W. Protezione Drain-Source: Diodo. Tensione Gate-Source Vgs: 30V. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) max.: 4V. Temperatura: +150°C.