P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V

P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.10fr
5-24
0.93fr
25-49
0.84fr
50-99
0.77fr
100+
0.68fr
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P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Alloggiamento: R-6. Corrente diretta (AV): 20A. Corrente raddrizzata media per diodo: 20A. IFSM: 500A. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Configurazione del diodo: indipendente. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Do: 110pF. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura sulla cassa: P2000M. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): -. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Tipo di montaggio: THT. Prodotto originale del produttore: Diotec Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:27

P2000M
25 parametri
Alloggiamento
R-6
Corrente diretta (AV)
20A
Corrente raddrizzata media per diodo
20A
IFSM
500A
Custodia (secondo scheda tecnica)
R-6 ( 8x7.5mm )
VRRM
1000V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Configurazione del diodo
indipendente
Diodo Trr (min.)
1500 ns
Do
110pF
Marcatura sulla cassa
P2000M
Materiale semiconduttore
silicio
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (min)
10uA
RoHS
Spec info
IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-50...+175°C
Tempo di recupero inverso (max)
1500ns
Tensione di soglia Vf (max)
1.1V
Tensione diretta Vf (min)
0.87V
Tipo di diodo
diodo raddrizzatore
Tipo di montaggio
THT
Prodotto originale del produttore
Diotec Semiconductor