Philips Semiconductors PSMN035-150P N-MOSFET 150V 50A 30mOhm TO-220

Descrizione tecnica del prodotto (PSMN035-150P):

Tensione Vds(max): 150V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 50A. ID (T=100°C): 36A. Resistenza di conduzione Rds On: 30 milliohm. Contenitore (secondo datasheet): TO-220AB (SOT78). Contenitore: TO-220. RoHS: sì. Temperatura operativa: -55...+175°C. Info. spec.: IDM--200A (Tmb 25°C pulsato). Numero di terminali: 3. Montaggio/installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Tecnologia: Transistor a effetto di campo a modo di arricchimento. Protezione G-S: no. Td(off): 79 ns. IDss (min): 0.05uA. Td(on): 25 ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 200A. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 4720pF. C(out): 456pF. Trr Diodo (Min.): 118 ns. Pd (Dissipazione di potenza, max): 250W. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Tensione gate/source Vgs: 20V. Unità di condizionamento: 50