RGP10D, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V

RGP10D, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.14fr
5-49
0.12fr
50-99
0.1000fr
100-199
0.0889fr
200+
0.0659fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 193

RGP10D, 1A, 30A, DO-204, DO-204AL ( 2.7x5.2mm ), 200V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Diodo Trr (min.): 150 ns. Do: 15pF. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Prodotto originale del produttore: General Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:14

Documentazione tecnica (PDF)
RGP10D
22 parametri
Corrente diretta (AV)
1A
IFSM
30A
Alloggiamento
DO-204
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-204AL ( 2.7x5.2mm )
VRRM
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Diodo Trr (min.)
150 ns
Do
15pF
Funzione
Diodo raddrizzatore a commutazione rapida
Materiale semiconduttore
silicio
Nota
GI, S
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
200uA
RM (min)
5uA
RoHS
Spec info
IFSM--30Ap t=8.3mS
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-65...+175°C
Tensione di soglia Vf (max)
1.3V
Tensione diretta Vf (min)
1.3V
Prodotto originale del produttore
General Semiconductor

Prodotti e/o accessori equivalenti per RGP10D