STMicroelectronics STB12NM50N MOSFET di Potenza MDmesh Canale N, 550V, 11A, D2PAK (TO-263)

Descrizione tecnica del prodotto (STB12NM50N):

Tensione Drain-Source Vds(max): 550V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (max): 100uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 11A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 6.8A. Resistenza On-State Rds On: 0.29 Ohms. Contenitore (secondo datasheet): D2PAK (TO-263). Contenitore: D2PAK (TO-263). RoHS: sì. Numero di connessioni: 2. Montaggio/Installazione: Componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alto dv/dt, bassa capacità di gate. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Protezione Gate-Source: no. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 60 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (min): 1uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 15 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 44A. Marcatura sul contenitore: B12NM50N. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacità di ingresso C (in): 940pF. Capacità di uscita C (out): 100pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 340 ns. Dissipazione di potenza massima: 100W. Protezione Drain-Source: sì. Tensione Gate-Source Vgs: 25V. Temperatura: +150°C