Stmicroelectronics STP11NM60 MOSFET di Potenza MDmesh Canale N, 600V Drain-Source, 11A Corrente di D

Descrizione tecnica del prodotto (STP11NM60):

Tensione massima Drain-Source Vds(max): 600V. Corrente di dispersione massima Drain-Source Idss (max): 10uA. Corrente di drain continua ID (T=25°C): 11A. Corrente di drain continua ID (T=100°C): 7A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.4 Ohm. Contenitore: TO-220. Conforme RoHS: Sì. Caratteristiche speciali: Elevate capacità dv/dt e di valanga. Numero di terminali: 3. Tipo di montaggio: Montaggio a foro passante su PCB. Tipo di canale: Canale N. Tipo di transistor: MOSFET. Caratteristiche principali: Bassa capacità di ingresso, bassa resistenza di conduzione, bassa carica di gate. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura operativa max.: +150°C. Protezione Gate-Source: No. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 6 ns. Corrente di dispersione min. Drain-Source IDss (min): 1uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 20 ns. Corrente di drain impulsiva Id(imp): 44A. Tensione di soglia min. Gate-Source Vgs(th): 3V. Capacità di ingresso C(in): 1000pF. Capacità di uscita C(oss): 230pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 390 ns. Dissipazione di potenza max. Pd: 160W. Protezione Drain-Source: Diodo Zener. Tensione max. Gate-Source Vgs: 30V. Confezionamento: Tubo di plastica, 50 unità per tubo.