STMicroelectronics STP11NM80 MOSFET MDmesh Canale N, 800V, 11A, TO-220

Descrizione tecnica del prodotto (STP11NM80):

Tensione Drain-Source Vds(max): 800V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (max): 100uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 11A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 4.7A. Resistenza On-State Rds On: 0.35 Ohms. Contenitore (secondo datasheet): TO-220. Contenitore: TO-220. RoHS: sì. Temperatura operativa: -65...+150°C. Numero di connessioni: 3. Montaggio/Installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Bassa capacità di ingresso, resistenza e carica di gate. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Protezione Gate-Source: no. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 46 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (min): 10uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 22 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 44A. Marcatura sul contenitore: P11NM80. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacità di ingresso C (in): 1630pF. Capacità di uscita C (out): 750pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 612 ns. Dissipazione di potenza massima: 150W. Confezionamento: Tubo di plastica. Protezione Drain-Source: Diodo Zener. Tensione Gate-Source Vgs: 30V. Unità di confezionamento: 50