STMicroelectronics STP14NF12 MOSFET di Potenza STripFET II Canale N, 120V, 14A, TO-220

Descrizione tecnica del prodotto (STP14NF12):

Tensione Drain-Source Vds(max): 120V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (max): 10uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 14A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 9A. Resistenza On-State Rds On: 0.16 Ohms. Contenitore (secondo datasheet): TO-220. Contenitore: TO-220. Montaggio/Installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Bassa carica di ingresso. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Protezione Gate-Source: no. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 32 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (min): 1uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 16 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 56A. Marcatura sul contenitore: P14NF12. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacità di ingresso C (in): 460pF. Capacità di uscita C (out): 70pF. Dissipazione di potenza massima: 60W. Protezione Drain-Source: sì. Tensione Gate-Source Vgs: 20V. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) max.: 4V