STMicroelectronics STP200N4F3 MOSFET di Potenza STripFET™ Canale N, 40V, 60.4k Ohms, TO-220

Descrizione tecnica del prodotto (STP200N4F3):

Tensione Drain-Source Vds(max): 40V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (max): 100uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Corrente di Drain Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Resistenza On-State Rds On: 3M Ohms. Contenitore (secondo datasheet): TO-220. Contenitore: TO-220. RoHS: sì. Temperatura operativa: -55...+175°C. Numero di connessioni: 3. Montaggio/Installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione, applicazioni automobilistiche. Tecnologia: STripFET™ Power MOSFET. Protezione Gate-Source: no. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 90 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (min): 10uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 19 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 480A. Marcatura sul contenitore: 200N4F3. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacità di ingresso C (in): 5100pF. Capacità di uscita C (out): 1270pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 67 ns. Dissipazione di potenza massima: 300W. Protezione Drain-Source: Diodo Zener. Tensione Gate-Source Vgs: 20V. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) max.: 4V