Esaurito
Stmicroelectronics
Stmicroelectronics STP20NM60FD MOSFET di Potenza FDmesh™ Canale N, 600V, 20A, 0,26 Ohm Rds(on), TO-2
Riferimento prodotto : STP20NM60FD
Sconti per quantità: risparmia quando acquisti
| Quantità | Prezzo unitario | Salva |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 5.57 fr | — |
| 100+Miglior prezzo | 5.24 fr | -6% |
Descrizione tecnica del prodotto (STP20NM60FD):
MOSFET di Potenza FDmesh™ Canale N con tecnologia a diodo veloce. Tensione massima drain-source Vds 600V, corrente di drain continua ID 20A (a 25°C) e resistenza di conduzione Rds(on) 0,26 Ohm. Contenitore TO-220AB per montaggio a foro passante su PCB. Caratteristiche: bassa capacità di gate e una dissipazione di potenza massima di 192W. Conforme RoHS. Temperatura operativa fino a +150°C.