STMicroelectronics STP4NB80 MOSFET PowerMESH Canale N, 800V, 4A

Descrizione tecnica del prodotto (STP4NB80):

Tensione Drain-Source Vds(max): 800V. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (max): 50uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 4A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 2A. Resistenza On-State Rds On: 3 Ohms. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Commutazione ad alta corrente, alta velocità. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Protezione Gate-Source: no. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 12 ns. Corrente di dispersione Drain-Source Idss (min): 1uA. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 14 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 16A. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 3V. Capacità di ingresso C (in): 700pF. Capacità di uscita C (out): 95pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 600 ns. Dissipazione di potenza massima: 100W. Protezione Drain-Source: sì. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) max.: 5V