STMicroelectronics STW43NM60ND MOSFET di Potenza Canale N 600V 35A 0.075Ω TO-247 MDmesh II

Descrizione tecnica del prodotto (STW43NM60ND):

Tensione Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 35A. ID (T=100°C): 22A. Resistenza di conduzione Rds(on): 0.075 Ohm. Contenitore: TO-247. RoHS: sì. Info specifica: Bassa resistenza di ingresso del gate. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: Montaggio a foro passante per PCB. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Bassa capacità di ingresso e carica di gate. Tecnologia: MDmesh II. Temperatura max: +150°C. Protezione G-S: no. Td(off): 120ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 30ns. Quantità per contenitore: 1. Id(imp): 140A. Marcatura sul contenitore: 43NM60ND. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 4300pF. C(out): 250pF. Trr Diodo (Min.): 190ns. Pd (Dissipazione di Potenza, Max): 255W. Protezione drain-source: diodo zener. Tensione gate/source Vgs: 25V.