Toshiba 2SK3568 MOSFET di Potenza Canale N 500V 12A TO-220F

Descrizione tecnica del prodotto (2SK3568):

MOSFET di potenza a canale N Toshiba 2SK3568. Tensione massima Drain-Source Vds(max): 500V. Corrente di dispersione Drain-Source massima Idss: 100uA. Corrente di Drain Id (T=25°C): 12A. Corrente di Drain Id (T=100°C): 12A. Resistenza di conduzione Rds On: 0.4 Ohm. Contenitore (secondo scheda tecnica): TO-220F. Contenitore: TO-220FP. Conforme RoHS: sì. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: alimentatore switching (SMPS). Tecnologia: effetto di campo (TT-MOSVI). Temperatura massima: +150°C. Protezione Gate-Source: sì. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 170 ns. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 50 ns. Quantità per contenitore: 1. Corrente di Drain impulsiva Id(imp): 48A. Marcatura sul contenitore: K3568. Tensione di soglia Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacità di ingresso C(in): 1500pF. Capacità di uscita C(out): 180pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 1200 ns. Dissipazione di potenza massima: 40W. Protezione Drain-Source: diodo. Tensione Gate-Source Vgs: 30V. Temperatura: +150°C.