Toshiba 2SK363 MOSFET Canale N 3.7 Ohm TO-92

Descrizione tecnica del prodotto (2SK363):

MOSFET a canale N Toshiba 2SK363. Corrente di dispersione Drain-Source Idss: 100uA. Resistenza di conduzione Rds On: 3.7 Ohm. Contenitore (secondo scheda tecnica): TO-92. Contenitore: TO-92. Conforme RoHS: sì. Numero di connessioni: 3. Montaggio/installazione: montaggio a foro passante per circuito stampato. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Tecnologia: effetto di campo (TT-MOSIV). Protezione Gate-Source: sì. Tempo di ritardo di spegnimento Td(off): 125 ns. Tempo di ritardo di accensione Td(on): 60 ns. Quantità per contenitore: 1. Capacità di ingresso C(in): 700pF. Capacità di uscita C(out): 75pF. Tempo di recupero inverso del diodo Trr (Min.): 850 ns. Protezione Drain-Source: diodo.