Categorie

In magazzino
Image produit
Toshiba

Toshiba RN1409 Transistor NPN con Resistenza 50V 0.1A 0.2W SOT-23

Riferimento prodotto : RN1409
Quantità disponibile : 1 pezzo disponibile
Ultimi articoli disponibili: affrettatevi ad ordinare!
Sconti per quantità: risparmia quando acquisti
QuantitàPrezzo unitarioSalva
1+Miglior prezzo0.48 fr
Quantité minimum : 10 pièces · Multiple de 10
Totale : 21,80 €
La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
Scarica la scheda tecnica (PDF)

Descrizione tecnica del prodotto (RN1409):

Transistor NPN+R RN1409 di Toshiba. Tensione collettore-emettitore Vceo: 50V. Corrente di collettore Ic: 0.1A. Dissipazione di potenza Pd: 0.2W. Resistenza di base Rb: 47K. Resistenza base-emettitore Rbe: 22K. Materiale semiconduttore: Si. C (out): 100 pF. Montaggio: a montaggio superficiale (SMD). Contenitore: SOT-23 (TO-236). Quantità per confezione: 1 pz. Funzione: DTR. Codice SMD: XJ.