Transistor a canale N 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 300uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1300pF. Costo): 180pF. Funzione: High Speed, tr--25nS tf--20nS. ID (min): -. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 100 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo MOS II.5. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03