Transistor a canale N 2SK2671, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Transistor a canale N 2SK2671, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.35fr
5-9
4.02fr
10-24
3.79fr
25-49
3.62fr
50+
3.27fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 31

Transistor a canale N 2SK2671, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F15. Voltaggio Vds(max): 900V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1140pF. Costo): 105pF. Diodo Trr (min.): na. ID (min): na. Id(imp): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 55 ns. Td(spento): 210 ns. Tecnologia: HVX-2 Series POWER MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Shindengen Electric. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2671
25 parametri
ID (T=25°C)
5A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
2.1 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F15
Voltaggio Vds(max)
900V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1140pF
Costo)
105pF
Diodo Trr (min.)
na
ID (min)
na
Id(imp)
10A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
55 ns
Td(spento)
210 ns
Tecnologia
HVX-2 Series POWER MOSFET
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3.5V
Vgs(esimo) min.
2.5V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Shindengen Electric

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