Transistor a canale N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V

Transistor a canale N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.00fr
5-9
2.68fr
10-24
2.48fr
25-49
2.31fr
50+
2.06fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 16

Transistor a canale N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2040pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 230pF. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. ID (min): na. Id(imp): 40A. Marcatura sulla cassa: K2843. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 58 ns. Td(spento): 190 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT.MOSV). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 14/11/2025, 01:03

Documentazione tecnica (PDF)
2SK2843
32 parametri
ID (T=25°C)
10A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.54 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220F ( 2-10R1B )
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2040pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
230pF
Diodo Trr (min.)
1300 ns
Funzione
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
ID (min)
na
Id(imp)
40A
Marcatura sulla cassa
K2843
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
45W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
58 ns
Td(spento)
190 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT.MOSV)
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba

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