Transistor a canale N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

Transistor a canale N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.18fr
5-9
1.88fr
10-24
1.69fr
25-49
1.57fr
50+
1.39fr
Quantità in magazzino: 40

Transistor a canale N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-67, 2-10U1B. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1500pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 180pF. Diodo Trr (min.): 1300 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 40A. Marcatura sulla cassa: K3569. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Peso: 1.7g. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 180 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOSVI). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:31

Documentazione tecnica (PDF)
2SK3569
32 parametri
ID (T=25°C)
10A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.54 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
SC-67, 2-10U1B
Voltaggio Vds(max)
600V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1500pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
180pF
Diodo Trr (min.)
1300 ns
Funzione
Alimentatori a commutazione (SMPS)
Id(imp)
40A
Marcatura sulla cassa
K3569
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
45W
Peso
1.7g
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
50 ns
Td(spento)
180 ns
Tecnologia
Transistor ad effetto di campo, tipo MOS (TT-MOSVI)
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Toshiba