Transistor a canale N 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 500uA. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 900pF. Costo): 90pF. Diodo Trr (min.): 400 ns. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): 10uA. Id(imp): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Spec info: Samsung B4054-0018. Td(acceso): 60 ns. Td(spento): 150 ns. Tecnologia: V-MOS S-L. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fuji Electric. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25