Transistor a canale N AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
32.61fr
2-2
30.62fr
3-3
29.08fr
4-4
27.55fr
5-9
26.40fr
10-29
25.93fr
30+
25.91fr
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Transistor a canale N AIMW120R035M1HXKSA1, 1200V, 0.035 Ohms, TO-247AC. Tensione drain-source (Vds): 1200V. Rds sulla resistenza attiva: 0.035 Ohms. Alloggiamento: TO-247AC. Corrente di assorbimento massima: 52A. Diodo incorporato: sì. Potenza: 228W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 12:59
AIMW120R035M1HXKSA1
9 parametri
Tensione drain-source (Vds)
1200V
Rds sulla resistenza attiva
0.035 Ohms
Alloggiamento
TO-247AC
Corrente di assorbimento massima
52A
Diodo incorporato
sì
Potenza
228W
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies