Transistor a canale N AO4262E, SO8

Transistor a canale N AO4262E, SO8

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.52fr
5-9
0.95fr
10-19
0.84fr
20-49
0.77fr
50+
0.72fr
Quantità in magazzino: 5

Transistor a canale N AO4262E, SO8. Alloggiamento: SO8. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 15nC. DRUCE CORRENTE: 13A. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Proprietà del semiconduttore: Protezione ESD. RoHS: sì. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 60V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Alpha and Omega Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:15

AO4262E
13 parametri
Alloggiamento
SO8
migliorato
Assemblaggio/installazione
SMD
Carica
15nC
DRUCE CORRENTE
13A
Polarità
unipolari
Potenza
2W
Proprietà del semiconduttore
Protezione ESD
RoHS
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
60V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Alpha and Omega Semiconductor