Transistor a canale N AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 20mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0058 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2154pF. Costo): 474pF. Diodo Trr (min.): 12 ns. Funzione: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. ID (min): 0.1mA. Id(imp): 180A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6.8 ns. Td(spento): 25.2 ns. Tecnologia: "Effetto campo modalità miglioramento (SRFET)". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25