Transistor a canale N AON6512, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.9m Ohms. Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 3430pF. Costo): 1327pF. Diodo Trr (min.): 22 ns. Funzione: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. ID (min): 1uA. Id(imp): 340A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 7.5 ns. Td(spento): 33.8 ns. Tecnologia: "L ultima tecnologia Trench Power AlphaMOS". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25