Transistor a canale N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

Transistor a canale N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.03fr
5-24
0.87fr
25-49
0.77fr
50-99
0.70fr
100+
0.60fr
Quantità in magazzino: 67

Transistor a canale N AOY2610E, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 46A. Idss (massimo): 5uA. Rds sulla resistenza attiva: 7.7m Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1100pF. Costo): 300pF. Diodo Trr (min.): 19 ns. Funzione: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. ID (min): 1uA. Id(imp): 110A. Marcatura sulla cassa: AOY2610E. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59.5W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 6.5 ns. Td(spento): 22 ns. Tecnologia: Trench Power AlphaSGTTM technology. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.4V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Alpha & Omega Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AOY2610E
31 parametri
ID (T=100°C)
36A
ID (T=25°C)
46A
Idss (massimo)
5uA
Rds sulla resistenza attiva
7.7m Ohms
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251 ( I-Pak )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1100pF
Costo)
300pF
Diodo Trr (min.)
19 ns
Funzione
High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier
ID (min)
1uA
Id(imp)
110A
Marcatura sulla cassa
AOY2610E
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
59.5W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
6.5 ns
Td(spento)
22 ns
Tecnologia
Trench Power AlphaSGTTM technology
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
2.4V
Vgs(esimo) min.
1.4V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Alpha & Omega Semiconductors