Transistor a canale N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Transistor a canale N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-1
10.00fr
2-4
10.00fr
5-24
8.56fr
25-49
7.82fr
50+
6.40fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 29

Transistor a canale N AP88N30W, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 48m Ohms. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 300V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 8440pF. Costo): 1775pF. Diodo Trr (min.): 300 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 1uA. Id(imp): 160A. Marcatura sulla cassa: 88N30W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 312W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 220 ns. Tecnologia: "MOSFET di potenza in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55°C...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:25

Documentazione tecnica (PDF)
AP88N30W
31 parametri
ID (T=100°C)
48A
ID (T=25°C)
48A
Idss (massimo)
200uA
Rds sulla resistenza attiva
48m Ohms
Alloggiamento
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3P
Voltaggio Vds(max)
300V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
8440pF
Costo)
1775pF
Diodo Trr (min.)
300 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
1uA
Id(imp)
160A
Marcatura sulla cassa
88N30W
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
312W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
50 ns
Td(spento)
220 ns
Tecnologia
"MOSFET di potenza in modalità potenziamento"
Temperatura di funzionamento
-55°C...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Advanced Power

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