Transistor a canale N AP9971GD, DIP, DIP-8

Transistor a canale N AP9971GD, DIP, DIP-8

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
4.09fr
5-24
3.62fr
25-49
3.35fr
50+
3.12fr
Quantità in magazzino: 9

Transistor a canale N AP9971GD, DIP, DIP-8. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-8. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: MOS-N-FET. Numero di terminali: 8:1. Quantità per scatola: 2. RoHS: sì. Spec info: 0.050R (50m Ohms). Tipo di canale: N. Prodotto originale del produttore: Advanced Power. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 04:35

Documentazione tecnica (PDF)
AP9971GD
10 parametri
Alloggiamento
DIP
Custodia (secondo scheda tecnica)
DIP-8
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
Funzione
MOS-N-FET
Numero di terminali
8:1
Quantità per scatola
2
RoHS
Spec info
0.050R (50m Ohms)
Tipo di canale
N
Prodotto originale del produttore
Advanced Power