Transistor a canale N BS107, TO-92, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, 200V. Alloggiamento: TO-92. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 85pF. Costo): 20pF. DRUCE CORRENTE: 250mA. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Id(imp): 2A. Marcatura sulla cassa: BS107. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Polarità: unipolari. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Resistenza allo stato: 6.4 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 16 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione drain-source: 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31