Transistor a canale N BTS117BKSA1, 60V, 0.10 Ohms, TO-220
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Transistor a canale N BTS117BKSA1, 60V, 0.10 Ohms, TO-220. Tensione drain-source (Vds): 60V. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Controllare: Livello logico. Corrente di assorbimento massima: 7A. Potenza: 50W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 09:37
BTS117BKSA1
9 parametri
Tensione drain-source (Vds)
60V
Rds sulla resistenza attiva
0.10 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Controllare
Livello logico
Corrente di assorbimento massima
7A
Potenza
50W
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Infineon Technologies