Transistor a canale N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor a canale N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.44fr
5-49
1.19fr
50-99
1.01fr
100+
0.92fr
Prodotto obsoleto, presto rimosso dal catalogo
Esaurito
Equivalenza disponibile

Transistor a canale N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 330pF. Costo): 90pF. Diodo Trr (min.): 80 ns. Id(imp): 44A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 25 ns. Tecnologia: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Temperatura: +175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57

Documentazione tecnica (PDF)
BUZ72A
27 parametri
ID (T=100°C)
7A
ID (T=25°C)
11A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.23 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
330pF
Costo)
90pF
Diodo Trr (min.)
80 ns
Id(imp)
44A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
70W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
25 ns
Tecnologia
Enhancement Mode Power MOSFET Transistor
Temperatura
+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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