Transistor a canale N BUZ76, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Rds sulla resistenza attiva: 1.8 Ohms. Voltaggio Vds(max): 400V. Funzione: Transistor MOSFET N. Nota: <57/115ns. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: V-MOS. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57