Transistor a canale N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. C(in): 965pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 1255pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 105pF. Diodo Trr (min.): 365ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 28 nC, Crss basso 12 pF. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 7.6A. Id(imp): 30A. Marcatura del produttore: FQPF8N60C. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 16.5 ns. Td(spento): 81 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 45 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41