Transistor a canale N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1500pF. Costo): 170pF. Funzione: Commutazione ad alta velocità. ID (min): na. Id(imp): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 130 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 20:19