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Infineon Technologies

Transistor a canale N IPD60R145CFD7ATMA1, TO-252

Riferimento prodotto : IPD60R145CFD7ATMA1
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Descrizione tecnica del prodotto (IPD60R145CFD7ATMA1):

Alloggiamento: TO-252. RoHS: sì. Polarità: unipolari. Numero di canali: 1. Corrente di scarico di picco: 58A. Tipo di transistor: N-MOSFET. Resistenza allo stato: 145m Ohms. Carica: 31nC. DRUCE CORRENTE: 16A. Tensione drain-source: 600V