Transistor a canale N IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 620 ns. Costo): 93 ns. Diodo Trr (min.): 430 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): 25uA. Id(imp): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 21 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura: +105°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43