Transistor a canale N IRFB4227, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 19.7m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 4600pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 460pF. Diodo Trr (min.): 100 ns. Funzione: Commutatore PDP. ID (min): 20uA. Id(imp): 260A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 33 ns. Td(spento): 21 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43