Transistor a canale N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.27 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. C(in): 3100pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 3100pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 480pF. Diodo Trr (min.): 480 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 280W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): 25uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 20A. Id(imp): 80A. Marcatura del produttore: IRFP460APBF. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 45 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45