Transistor a canale N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Transistor a canale N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.92fr
5-29
0.78fr
30-74
0.68fr
75-149
0.61fr
150+
0.48fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 54

Transistor a canale N IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (min): 25uA. Id(imp): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45

Documentazione tecnica (PDF)
IRFR420
24 parametri
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2.4A
Ids
0.025mA
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
3 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
D-PAK TO-252AA
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (min)
25uA
Id(imp)
8A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
42W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier

Prodotti e/o accessori equivalenti per IRFR420