Transistor a canale N IRFU420, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V

Transistor a canale N IRFU420, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.74fr
5-24
0.63fr
25-49
0.57fr
50-99
0.53fr
100+
0.47fr
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 39

Transistor a canale N IRFU420, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 360pF. Costo): 92pF. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. ID (min): 25uA. Id(imp): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 33 ns. Td(spento): 8 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza di terza generazione. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 21:11

Documentazione tecnica (PDF)
IRFU420
26 parametri
ID (T=100°C)
1.4A
ID (T=25°C)
2.4A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
3 Ohms
Alloggiamento
TO-251 ( I-Pak )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Voltaggio Vds(max)
500V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
360pF
Costo)
92pF
Funzione
Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating
ID (min)
25uA
Id(imp)
8A
Pd (dissipazione di potenza, massima)
42W
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
33 ns
Td(spento)
8 ns
Tecnologia
transistor MOSFET di potenza di terza generazione
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Vishay

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